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专利摘要

기재 상에 하기의 피막 Q와 피막 R이 각각 1층 이상 교대로 적층된 적층 피막. [피막 Q] 조성식이 Ti1-a-b-cBaCbNc이고, 각 원소의 원자비가 0.2≤a≤0.7, 0≤b≤0.35 및 0≤c≤0.35를 만족시키는 피막; 조성식이 Si1-d-eCdNe이고,각 원소의 원자비가 0.2≤d≤0.50 및 0≤e≤0.3을 만족시키는 피막; 및 조성식이 B1-f-gCfNg이고, 각 원소의 원자비가 0.03≤f≤0.25 및 0≤g≤0.5를 만족시키는 피막;으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 피막. [피막R] 조성식이 L(BxCyN1-x-y)(상기 L은, W, Mo 및 V로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 원소)이고, 각 원소의원자비가 0≤x≤0.15 및 0≤y≤0.5를 만족시키는 피막. ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
KR1020157025896
申请日期:
2014-03-14
专利申请人:
가부시키가이샤 고베 세이코쇼
分类号:
C23C28/00; C23C28/04; C23C14/06
发明/设计人:
야마모토겐지 ， 아베마이코 ， 호소카와마모루
权利要求: 청구항 1 기재 상에 형성되는 적층 피막이며, 하기의 피막 Q와 피막 R이 각각 1층 이상 교대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는, 내마모성이 우수한 적층 피막.[피막 Q]조성식이 Ti1-a-b-cBaCbNc(단, a, b, c는 각각 B, C, N의 원자비를 나타냄)이고, 0.2≤a≤0.7, 0≤b≤0.35, 및 0≤c≤0.35를 만족시키는 피막;조성식이 Si1-d-eCdNe(단, d, e는 각각 C, N의 원자비를 나타냄)이고, 0.2≤d≤0.50, 및 0≤e≤0.3을 만족시키는피막; 및,조성식이 B1-f-gCfNg(단, f, g는 각각 C, N의 원자비를 나타냄)이고, 0.03≤f≤0.25, 및 0≤g≤0.5를 만족시키는피막;으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 피막.[피막 R]조성식이 L(BxCyN1-x-y)(단, L은, W, Mo 및 V로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 원소이고, x, y는 각각B, C의 원자비를 나타냄)이고, 0≤x≤0.15, 및 0≤y≤0.5를 만족시키는 피막.청구항 2 제1항에 있어서, 상기 피막 Q와 상기 피막 R의 막 두께가 모두 2㎚ 이상인, 내마모성이 우수한 적층 피막.청구항 3 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 피막 Q와 상기 피막 R의 막 두께가 모두 100㎚ 이하인, 내마모성이 우수한 적층 피막.